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一方面因禁带宽度的增大、执着于晶粒细化以及电阻率的提高，体系的介电击穿强度显著提高。
在国际上率先使用具有高自发极化强度的BiFeO3材料作为基体，产厂制备出一系列高性能无铅储能陶瓷电容器（J. Am.Ceram.Soc.,2015,98,2692-2695;J.Eur.Ceram.Soc.,2017,37,413-418; J.Eur.Ceram.Soc.,2019,39,2673-2679），产厂创新性地结合了介电弛豫特性和反铁电材料的技术优势，设计出具有纳米畴结构的弛豫反铁电陶瓷材料，实现了陶瓷体材料储能密度的重要突破，并结合透射电子显微镜和原位同步辐射技术揭示了弛豫反铁电体具有优异储能性能的结构机理（Adv.Funct.Mater.,2019,1903877;J.Mater.Chem.A,2019,7,3971-3978）。此外，年年LGDisplay也将额外投资2.63亿美元都柔性OLED面板的生产中。
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